中國科學院的科研團隊近日在《國際光電工程學會》期刊公布了全固態(tài)深紫外(DUV)激光光源研究成果。這項技術通過創(chuàng)新性的固態(tài)激光方案，成功輸出193nm波長的相干光，理論上可支撐半導體制造工藝延伸至3nm節(jié)點，為我國光刻技術自主化開辟了新路徑。

值得注意的是，當前全球光刻巨頭ASML、尼康、佳能使用的DUV光刻系統(tǒng)，均依賴氟化氙準分子激光技術。這類氣體激光器需要持續(xù)注入氬氟混合氣體，在高壓電場中生成193nm波長光子，其系統(tǒng)復雜程度高且能耗較大。相比之下，中科院自主研發(fā)的固態(tài)方案采用Yb:YAG晶體放大器作為核心光源，通過分光-變頻-合成的技術路線，在完全固態(tài)結構下實現(xiàn)了同波長激光輸出。

科研人員將1030nm基頻激光分兩路處理：其中一束通過四次諧波轉換生成258nm激光，另一束經(jīng)光學參數(shù)放大后形成1553nm激光。這兩束激光在串級硼酸鋰晶體中混合后，最終產(chǎn)出的193nm激光線寬已控制在0.11pm以內，光譜純度達到商用準分子激光器標準。盡管目前70mW的平均功率和6kHz頻率尚不及傳統(tǒng)方案的1%，但固態(tài)設計的先天優(yōu)勢已初現(xiàn)端倪。

并且該技術擺脫了對稀有氣體的依賴，理論上可使光刻系統(tǒng)體積縮小30%以上。若后續(xù)能在功率密度和頻率穩(wěn)定性方面實現(xiàn)突破，或將改變現(xiàn)有DUV光刻設備的技術格局。不過正如論文中坦承的，當前實驗室樣機與工業(yè)級應用仍存在量級差距，需要材料科學和精密制造領域的協(xié)同攻關。

這項研究正值全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈加速重構之際。盡管距離實際應用尚有距離，但固態(tài)DUV光源的突破無疑為國產(chǎn)光刻技術提供了更多可能性選擇。在光刻機核心部件長期受制于人的背景下，這種底層技術的原始創(chuàng)新顯得尤為重要。